P8160

P8160采用紫光得瑞自主研发的TAI控制器、64层3D TLC NAND存储芯片，由自主固件团队研发出第一款NVMe固态硬盘。遵循NVMe 1.2.1标准，支持PCIe Gen3x4，最多支持16个NAND通道，为SSD的高吞吐量提供了基础。双通道40bit DDR控制器（带有ECC功能）让内部数据的接入更可靠。完整端到端CRC保护、RAID、带有ECC功能SRAM、强大ECC的使用让用户数据更加可靠。温度实时监控反馈系统，根据设备运行环境，动态调整业务处理能力，避免散热不足对设备的损伤及数据的丢失。强大硬件与高效固件之间的完美结合，具有企业级SSD需要的高速、高可靠性特质。稳定度更高的Qos要求全面满足企业级客户的苛刻需求。P8160 PCIe NVMe SSD提供了更精细的容量选择：1TB/1.6TB/2TB/3.2TB/4TB，AIC和U.2两种产品形态接口，为企业数据中心、云计算中心提供了全面灵活的存储支持。

（Ⅰ）软硬件协同设计

基于软硬件协同理念自主设计开发的主控芯片，立足于企业级数据可靠性保障、闪存管理和性能聚合等核心技术，集成了大量专用计算硬件加速单元。结合FTL管理软件的高效调度，P8160实现了高可靠、高性能的数据存储功能。

（Ⅱ）数据可靠性

控制器芯片集成了高强度ECC硬件编解码单元，检测并纠正NAND介质访问的数据错误。在此基础上，对完整数据通道的端到端保护、NAND自适应冗余保护机制、意外掉电检测及处理为数据完整性提供更多保障。P8160在运行过程中动态监测盘片温度并实时处理，避免因散热条件不足导致设备损坏丢失数据，降低了运维复杂度。

（Ⅲ）平稳的性能

P8160的管理算法充分预计了高压力下的极端情况和工作负载的多变性，对前端I/O请求和后台行为进行了精细调度和控制，确保在任何情况下性能表现平稳。P8160的随机读写性能可以在相当高的负载压力下，保持90%以上的一致性。

产品规格：

产品型号	P8160E			P8160M
可用容量¹	1TB	2TB	4TB	1.6TB	3.2TB
顺序读取速度²	2,100 MB/s	3,200 MB/s	3,200 MB/s	3,200 MB/s	3,200 MB/s
顺序写入速度²	960 MB/s	1,800 MB/s	2,400 MB/s	1,800 MB/s	2,400 MB/s
随机读取速度²	440,000 IOPS	800,000 IOPS	800,000 IOPS	800,000 IOPS	800,000 IOPS
随机写入速度²	95,000 IOPS	185,000 IOPS	250,000 IOPS	270,000 IOPS	375,000 IOPS
寿命	5年或2350TBW	5年或4800TBW	5年或9500TBW	5年或7500TBW	5年或15000TBW

            备注：
            1. 1MB = 1,000,000 字节，1GB=1,000,000,000 字节。实际用户使用的存储空间稍小。
            2. 根据硬盘容量、主机设备、操作系统和应用程序的不同，实际性能可能略有差异。

产品详细信息：
细信息：

尺寸	U.2：100.00 毫米（长） x 69.85 毫米（宽） x14.80 毫米（高）AIC：HHHL
接口	PCIe Gen3 x4
工作温度	0°C ~ 72°C
冲击	2.0msec 400G, 10.0msec 150G
震动	3.08 Grms(7-800Hz)

产品编号：

P8160E	容量	接口类型	PN
	1 TB	AIC	UNSPE1T0ADMH
	1 TB	U.2	UNSPE1T0ADMU
	2 TB	AIC	UNSPE2T0ADMH
	2 TB	U.2	UNSPE2T0ADMU
	4 TB	AIC	UNSPE4T0ADMH
	4 TB	U.2	UNSPE4T0ADMU
P8160M	1.6T	AIC	UNSPE1T6ADHH
	1.6T	U.2	UNSPE1T6ADHU
	3.2T	AIC	UNSPE3T2ADHH
	3.2T	U.2	UNSPE3T2ADHU

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