P8160E采用紫光得瑞自主研发的TAI控制器、64层3D TLC NAND存储芯片，由自主固件团队研发出第一款NVMe固态硬盘。遵循NVMe 1.2.1标准，支持PCIe Gen3x4，最多支持16个NAND通道，为SSD的高吞吐量提供了基础。双通道40bit DDR控制器（带有ECC功能）让内部数据的接入更可靠。完整端到端CRC保护、RAID、带有ECC功能SRAM、强大ECC的使用让用户数据更加可靠。温度实时监控反馈系统，根据设备运行环境，动态调整业务处理能力，避免散热不足对设备的损伤及数据的丢失。强大硬件与高效固件之间的完美结合，具有企业级SSD需要的高速、高可靠性特质。稳定度更高的Qos要求全面满足企业级客户的苛刻需求。P8160E PCIe NVMe SSD提供了更精细的容量选择：1TB/2TB/4TB，AIC和U.2两种产品形态接口，为企业数据中心、云计算中心提供了全面灵活的存储支持。
（Ⅰ）软硬件协同设计
基于软硬件协同理念自主设计开发的主控芯片，立足于企业级数据可靠性保障、闪存管理和性能聚合等核心技术，集成了大量专用计算硬件加速单元。结合FTL管理软件的高效调度，P8160E实现了高可靠、高性能的数据存储功能。
（Ⅱ）数据可靠性
控制器芯片集成了高强度ECC硬件编解码单元，检测并纠正NAND介质访问的数据错误。在此基础上，对完整数据通道的端到端保护、NAND自适应冗余保护机制、意外掉电检测及处理为数据完整性提供更多保障。P8160E在运行过程中动态监测盘片温度并实时处理，避免因散热条件不足导致设备损坏丢失数据，降低了运维复杂度。
（Ⅲ）平稳的性能
P8160E的管理算法充分预计了高压力下的极端情况和工作负载的多变性，对前端I/O请求和后台行为进行了精细调度和控制，确保在任何情况下性能表现平稳。P8160E的随机读写性能可以在相当高的负载压力下，保持90%以上的一致性。
产品规格：
| 产品型号 |
P8160E |
| 可用容量1 |
1TB |
2TB |
4TB |
| 顺序读取速度2 |
2,100 MB/s |
3,300 MB/s |
3,300 MB/s |
| 顺序写入速度2 |
960 MB/s |
1,900 MB/s |
2,400 MB/s |
| 随机读取速度2 |
440,000 IOPS |
810,000 IOPS |
830,000 IOPS |
| 随机写入速度2 |
94,000 IOPS |
190,000 IOPS |
240,000 IOPS |
| 寿命 |
5年或2350TBW |
5年或4800TBW |
5年或9500TBW |
备注：
1. 1MB = 1,000,000 字节，1GB= 1,000,000,000 字节。实际用户使用的存储空间稍小。
2. 根据硬盘容量、主机设备、操作系统和应用程序的不同，实际性能可能略有差异。
产品详细信息：
细信息：
| 尺寸 |
U.2：100.00 毫米（长） x 69.85 毫米（宽） x14.80 毫米（高）AIC：HHHL |
| 接口 |
PCIe Gen3 x4 |
| 工作温度 |
0°C ~ 72°C |
| 冲击 |
2.0msec 400G, 10.0msec 150G |
| 震动 |
3.08 Grms(7-800Hz)
|
产品编号：
| P8160E |
容量 |
接口类型 |
PN |
| 1 TB |
AIC |
UNSPE1T0ADMH |
| U.2 |
UNSPE1T0ADMU |
| 2 TB |
AIC |
UNSPE2T0ADMH |
| U.2 |
UNSPE2T0ADMU |
| 4 TB |
AIC |
UNSPE4T0ADMH |
| U.2 |
UNSPE4T0ADMU |
