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P8160

  
    P8160采用紫光得瑞自主研发的TAI控制器、64层3D TLC NAND存储芯片,由自主固件团队研发出第一款NVMe固态硬盘。遵循NVMe 1.2.1标准,支持PCIe Gen3x4,最多支持16个NAND通道,为SSD的高吞吐量提供了基础。双通道40bit DDR控制器(带有ECC功能)让内部数据的接入更可靠。完整端到端CRC保护、RAID、带有ECC功能SRAM、强大ECC的使用让用户数据更加可靠。温度实时监控反馈系统,根据设备运行环境,动态调整业务处理能力,避免散热不足对设备的损伤及数据的丢失。强大硬件与高效固件之间的完美结合,具有企业级SSD需要的高速、高可靠性特质。稳定度更高的Qos要求全面满足企业级客户的苛刻需求。P8160 PCIe NVMe SSD提供了更精细的容量选择:1TB/1.6TB/2TB/3.2TB/4TB,AIC和U.2两种产品形态接口,为企业数据中心、云计算中心提供了全面灵活的存储支持。
 
   (软硬件协同设计
    基于软硬件协同理念自主设计开发的主控芯片,立足于企业级数据可靠性保障、闪存管理和性能聚合等核心技术,集成了大量专用计算硬件加速单元。结合FTL管理软件的高效调度,P8160实现了高可靠、高性能的数据存储功能。

   (
数据可靠性
    控制器芯片集成了高强度ECC硬件编解码单元,检测并纠正NAND介质访问的数据错误。在此基础上,对完整数据通道的端到端保护、NAND自适应冗余保护机制、意外掉电检测及处理为数据完整性提供更多保障。P8160在运行过程中动态监测盘片温度并实时处理,避免因散热条件不足导致设备损坏丢失数据,降低了运维复杂度。

   (Ⅲ)平稳的性能
    P8160的管理算法充分预计了高压力下的极端情况和工作负载的多变性,对前端I/O请求和后台行为进行了精细调度和控制,确保在任何情况下性能表现平稳。P8160的随机读写性能可以在相当高的负载压力下,保持90%以上的一致性。


产品规格
 

产品型号 P8160E P8160M
可用容量1 1TB 2TB 4TB 1.6TB 3.2TB
顺序读取速度2 2,100 MB/s 3,200 MB/s 3,200 MB/s 3,200 MB/s 3,200 MB/s
顺序写入速度2 960 MB/s 1,800 MB/s 2,400 MB/s 1,800 MB/s 2,400 MB/s
随机读取速度2 440,000 IOPS 800,000 IOPS 800,000 IOPS 800,000 IOPS 800,000 IOPS
随机写入速度2 95,000 IOPS 185,000 IOPS 250,000 IOPS 270,000 IOPS 375,000 IOPS
寿命 5年或2350TBW 5年或4800TBW 5年或9500TBW 5年或7500TBW 5年或15000TBW
            备注:
            1. 1MB = 1,000,000 字节,1GB=1,000,000,000 字节。实际用户使用的存储空间稍小。 
            2. 根据硬盘容量、主机设备、操作系统和应用程序的不同,实际性能可能略有差异。

 

产品详细信息:
细信息:
尺寸 U.2:100.00 毫米(长) x 69.85 毫米(宽) x14.80 毫米(高)AIC:HHHL
接口 PCIe Gen3 x4
工作温度 0°C ~ 72°C
冲击 2.0msec 400G, 10.0msec 150G
震动
3.08 Grms(7-800Hz)

 



产品编号:

P8160E 容量 接口类型 PN
1 TB AIC UNSPE1T0ADMH
U.2 UNSPE1T0ADMU
2 TB AIC UNSPE2T0ADMH
U.2 UNSPE2T0ADMU
4 TB AIC UNSPE4T0ADMH
U.2 UNSPE4T0ADMU
P8160M 1.6T AIC UNSPE1T6ADHH
U.2 UNSPE1T6ADHU
3.2T AIC UNSPE3T2ADHH
U.2 UNSPE3T2ADHU




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